兩面解讀：間歇期癲癇發病機理

癲癇病發病的原因及其複雜， 同時癲癇病發病起來也不好醫治。 所以對於間歇期癲癇發病機理瞭解就顯得更加重要， 那麼間歇期癲癇發病機理究竟是怎麼樣的呢?下面就有小編給大家從兩方面介紹一下：

1.神經電生理

癲癇發作的根本原因在於大腦神經元的異常放電， 癲癇的異常放電可以出現在發作期， 也可以出現在發作間歇期。 導致這種異常放電的原因可以多種多樣， 但到目前為止， 對異常放電產生的本質還瞭解不多。 隨著科學技術的發展， 有可能對癲癇成因有更明確的認識。 根據目前的研究，

有各種因素可能造成一群大腦細胞膜的電位異常去極化， 並同步化形成周圍神經元的點燃效應。 大腦神經元電生理異常有各種不同的學說， 一般認為和維繫膜電位的離子異常有關， 也有認為和大腦神經介質即興奮性氨基酸和抑制性氨基酸的不平衡有關。 總之， 癲癇發作是大腦神經細胞異常、過度放電的結果。

2.神經病理學

特發性癲癇的發病機制十分複雜， 至今未能完全闡明。 對於部分性症狀性癲癇的病理曾有廣泛的研究， 在動物實驗中， 將氫氧化鈷作用於猴局部腦組織， 周圍逐漸形成神經膠質痂， 4～12周後出現部分性癲癇發作。 部分性癲癇的癇性放電通常在致癇性損害處的近旁開始， 也有起始於與損害部位有關或完全無關的遠隔部位。

如貓右側杏仁核受損， 引起左側杏仁核發作性放電。 Johnson等發現， 存在致癇瘢痕的動物， 其大腦皮質、皮質下結構， 乃至整個腦的驚厥閾都有所降低。 遠離致癇損害而在解剖上有聯繫的神經元， 其興奮性可升高， 但本身並無器質性損害。 這是一個很重要的概念， 即腦電圖上存在的散在棘波或節律性癇性放電， 可作為部分性癲癇的診斷證據， 但並不能肯定致癇損害就在同一部位。 一般認為癲癇病人伴發的精神障礙， 如偏執狀態、精神分裂症樣狀態及攻擊型人格障礙與大腦優勢半球的病變有關， 而抑鬱狀態與非優勢半球病變有關。 臨床上表現為不可控制的強烈情緒及行為障礙， 稱為發作性控制不良綜合征， 可能與杏仁核的異常放電有關。